SIHP25N50E-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIHP25N50E-GE3
| Artikelnummer: | SIHP25N50E-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $3.315 |
| 100+ | $2.7182 |
| 500+ | $2.2011 |
| 1000+ | $1.8563 |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SIHP25N50E-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIHP25N50E-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220AB Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V Verlustleistung (max) 250W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 100V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V detaillierte Beschreibung N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) SIHP25N50E-GE3 Einzelheiten PDF [English] SIHP25N50E-GE3 PDF - EN.pdf -
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